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Atomistic Simulation of Interaction between Grain Boundary and Dislocations in Ni_3Al

Dongliang LIN(T.L.Lin) Da CHEN Min LU Department of Materials Science , Shanghai Jiaotong University , Shanghai , 200030 , China

材料科学技术（英）

The embedded atom type potentials and static relaxation method combined with a steepest decent computational technique have been used to simulate the interaction between the grain boundary (GB) and dislocations in Ni_3Al alloys.The focus has been placed on the energy feature of the interaction,the distortion of GB structural units,and the dislocation core structure near the GB.Im- plication has also been made on the results for the understanding of the mechanism responsible for B-enhanced ductility.

关键词: atomistic simulation , null , null , null

Cu-Bi合金偏析的原子模拟 Ⅰ.饱和偏析

王桂金 , V.VITEK

金属学报

本文研究了不同含量的Bi偏析于Cu的∑=5B(210)/〔001〕对称倾转晶界的原子结构.本文发现最重要的结构效应,是不同原子位置的偏析能的强烈不均匀性,以及在晶界区形成二维有序合金结构.并发现1.25单层是饱和偏析浓度.

关键词: 偏析 , atomistic simulation , Cu-Bi alloy

纳米晶Al薄膜Bauschinger效应的分子动力学模拟

李晓雁

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00737

运用大规模的分子动力学模拟研究了厚度和晶粒取向对纳米晶Al薄膜Bauschinger效应的影响.模拟结果表明:晶粒取向的不均匀性对早期Bauschinger效应及相关塑性变形机制有显著的影响.相对于没有织构的薄膜试样而言,尽管晶粒尺寸、形状和厚度相同,具有(110)织构的薄膜表现出较轻微的Bauschinger效应.同时,分子动力学模拟也揭示早期Bauschingcr效应起源于卸载过程中位错的反向运动和由于位错反应造成位错密度的降低.这些位错机制是由加载过程中产生的不均匀变形引起的内在残余应力所驱动的.

关键词: 纳米晶Al薄膜 , Bauschinger效应 , 位错 , 塑性变形 , 原子尺度模拟

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